庫.jpg)
收藏
打印中國鐵合金網(wǎng)訊：半導體材料瓶頸可望突破!臺灣科技部近日宣布，臺灣、日本、沙烏地阿拉伯等團隊，已研究出單層二硫化鉬P-N接面，可望取代硅晶片成為新世代半導體核心元件，廣泛應用在可穿戴設(shè)備及手機中。
這是全球第1個發(fā)表新世代半導體材料基礎(chǔ)研究成果，不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中，交大研究團隊透露，這項結(jié)果可望吸引臺積電更積極合作研究，以早日搶占全球市場商機。
在科技部大力支持“尖端晶體材料開發(fā)及制作計劃”科技預算下，半導體材料瓶頸有了重大突破。臺灣研究團隊計劃主持人交大電子物理系教授張文豪指出，英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究，臺積電也積極與學界接洽合作，未來誰能搶先開發(fā)單層元件材料，就能在全球市場占有一席之地。
張文豪說，單層二硫化鉬是全球科學家認為新世代半導體頗有潛力的材料，這次研究團隊發(fā)展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面，可望解決半導體元件制備關(guān)鍵問題。未來可廣泛應用于極度微小化的電子元件，尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性，有潛力應用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件，或手機應用中。
臺灣科技部指出，二硫化鉬是繼石墨烯后，備受國際科學家關(guān)注層狀材料，單層二硫化鉬具有良好發(fā)光效率，極佳電子遷移率(可快速反應)與高開關(guān)比(電晶體較穩(wěn)定)，可用于未來新型低耗能邏輯電路，極有可能取代目前硅晶做下世代主要核心元件。國際半導體大廠如Intel、臺積電及三星等，最小元件技術(shù)約落在7～10納米間，而這項研究成果為二硫化鉬及相關(guān)無機二維材料電子學研究及應用，將有助二硫化鉬等材料應用在2納米半導體工藝技術(shù)中。
- [責任編輯：Zhang Xing]
信息快遞
行業(yè)報告
期刊雜志
企業(yè)名錄
短信彩信
數(shù)據(jù)定制
會議服務(wù)
廣告服務(wù)
貿(mào)易撮合
企業(yè)網(wǎng)站建設(shè)
在線詢價
聯(lián)系方式
評論內(nèi)容