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投資逾60億元的宜昌多晶硅材料及太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目將于下月開(kāi)工建設(shè)，湖北省信息產(chǎn)業(yè)廳請(qǐng)來(lái)中科院梁駿吾和聞立時(shí)等9位院士專(zhuān)家參加規(guī)劃論證會(huì)，為多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展規(guī)劃支招。

 

5月23日，南玻發(fā)布公告稱(chēng)，公司擬分期投資建設(shè)4500-5000噸多晶硅材料項(xiàng)目。項(xiàng)目一期工程擬投資1.5億美元，建設(shè)年產(chǎn)1500噸高純多晶硅生產(chǎn)基地，其中包括太陽(yáng)能級(jí)和電子級(jí)高純多晶硅材料及太陽(yáng)能硅片等產(chǎn)品，廠址選定為湖北省宜昌經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，建設(shè)周期約18個(gè)月。對(duì)于此舉，業(yè)內(nèi)人士大多持保留意見(jiàn)，而硅業(yè)在線分析，南玻投資多晶硅的前景光明，但是要看是否能夠挺住沖擊。

 

目前行業(yè)內(nèi)普遍存在的問(wèn)題一是技術(shù)，另一個(gè)就是工廠投產(chǎn)后的需求。

 

多晶硅技術(shù)壟斷在國(guó)際七大廠商手中，對(duì)技術(shù)采取封鎖，國(guó)內(nèi)普遍所采取的提煉高純硅的方法為改良西門(mén)子反應(yīng)法，技術(shù)基本上從俄羅斯引進(jìn)。有人認(rèn)為俄羅斯本身的技術(shù)工藝比西方國(guó)家差了很多，屬于二流工藝，出口到中國(guó)的技術(shù)只怕屬于三流，峨眉半導(dǎo)體、新光和中硅等廠經(jīng)過(guò)多年發(fā)展仍然沒(méi)有收到好的效果。而且耗能，污染一直得不到良好控制。

 

目前，全球尤其是中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)存在嚴(yán)重缺硅的問(wèn)題，多晶硅價(jià)格一直居高不下，甚至被炒到一個(gè)瘋狂的價(jià)位。受到資本的驅(qū)使，國(guó)內(nèi)項(xiàng)目紛紛上馬，據(jù)硅業(yè)在線統(tǒng)計(jì)，08年第三季度這些廠家產(chǎn)能全部釋放，總產(chǎn)量將超過(guò)1.2萬(wàn)噸。全球各大廠商也在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)，德國(guó)瓦克公司計(jì)劃將產(chǎn)能提升到14500噸/年，而全球最大的多晶硅生產(chǎn)廠商HEMLOCK也計(jì)劃將產(chǎn)能提高50%，在2010年達(dá)到19000噸/年。全球最大的多晶硅上游供應(yīng)商之一Elkem Solar和全球最大的太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品生產(chǎn)商之一BP太陽(yáng)能均斷言，根據(jù)目前國(guó)際上各大企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，到2008年多晶硅供應(yīng)就將不再短缺。而中國(guó)電子材料協(xié)會(huì)人士認(rèn)為，市場(chǎng)對(duì)多晶硅的需求存在泡沫。國(guó)內(nèi)現(xiàn)在更多地是一個(gè)炒作，多晶硅出廠的價(jià)格并沒(méi)有像市場(chǎng)上炒的那么高。同時(shí)硅業(yè)在線也注意到，下游廠家在采購(gòu)?fù)瑫r(shí)也不再一味盲目，而是以較為理性的眼光來(lái)看待。

 

在政策上，國(guó)家的扶持力度不是很夠，而全靠消費(fèi)者本身的購(gòu)買(mǎi)力，推廣是個(gè)大問(wèn)題。有人對(duì)外宣稱(chēng)太陽(yáng)能已經(jīng)深入農(nóng)村千家萬(wàn)戶(hù)，這純粹是空談和炒作行為。一套最基本的太陽(yáng)能熱水熱水設(shè)備在千元左右，即使對(duì)于逐漸富裕起來(lái)的農(nóng)村來(lái)說(shuō)價(jià)格還可以接受，但是冬天洗澡需要在室內(nèi)，而農(nóng)村有多少家庭擁有浴室？至于光電設(shè)備就目前來(lái)說(shuō)更是空談。

 

不過(guò)，南玻的優(yōu)勢(shì)也是相當(dāng)明顯的。

 

對(duì)于俄羅斯的技術(shù)，南玻曾數(shù)次派人去俄羅斯對(duì)采用該技術(shù)的多晶硅廠商進(jìn)行過(guò)實(shí)地調(diào)研。而且，在和俄羅斯方面就引進(jìn)技術(shù)談判的時(shí)候，南玻是按照半導(dǎo)體級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)要求的。這樣即使產(chǎn)品不達(dá)標(biāo)，但保證太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)成問(wèn)題，而且公司很早之前就在籌建多晶硅項(xiàng)目，目前國(guó)內(nèi)緊缺的技術(shù)人才已經(jīng)陸續(xù)到位，學(xué)習(xí)，吸收并改進(jìn)技術(shù)比較快。

 

而對(duì)于08年產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題，硅業(yè)在線認(rèn)為，這同時(shí)也存在著一個(gè)炒作的問(wèn)題。實(shí)際上，08年國(guó)內(nèi)的產(chǎn)量不會(huì)超過(guò)一萬(wàn)噸。而且南玻實(shí)力雄厚，在建設(shè)過(guò)程中不存在資金不足的問(wèn)題。南玻的目標(biāo)是打造多晶硅產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)供銷(xiāo)一條龍，這次梁駿吾等專(zhuān)家這次的建議，更有利于打造完整的產(chǎn)業(yè)鏈，在銷(xiāo)售方面壓力能延緩一下。而且國(guó)內(nèi)一些城市已經(jīng)在嘗試推廣太陽(yáng)能的嘗試，國(guó)家也可能會(huì)意識(shí)到太陽(yáng)能的重要性，迎頭趕上，我們已經(jīng)走在別人的后面，現(xiàn)在不要被人家甩得更遠(yuǎn)，防止“八國(guó)聯(lián)軍”再卷土重來(lái)。

 

 

附：梁駿吾檔案

 

梁駿吾,中國(guó)工程院院士、半導(dǎo)體材料專(zhuān)家,1933年出生于漢口，原籍黃陂前川小西門(mén)內(nèi)。

幼時(shí)他先后在漢口和黃陂讀小學(xué)。1945年在武漢一中念書(shū)，1955年于武漢大學(xué)畢業(yè)后被選派赴蘇聯(lián)科學(xué)院冶金研究所讀研究生，攻讀半導(dǎo)體材料專(zhuān)業(yè)。1960年獲副博士學(xué)位。回國(guó)后，進(jìn)入剛剛成立的中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，投身于半導(dǎo)體研究40余年。這40余年，他在中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得一項(xiàng)又一項(xiàng)科研成果.

60年代初，中國(guó)科學(xué)院將高純硅單晶的制備列為重點(diǎn)。梁駿吾承擔(dān)了這一任務(wù)。從設(shè)計(jì)、制作到單晶提純生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵技術(shù)的突破，創(chuàng)造性地解決了國(guó)產(chǎn)高頻區(qū)熔爐不能長(zhǎng)期、穩(wěn)定、可靠運(yùn)行的難題，不僅滿(mǎn)足了區(qū)熔硅生產(chǎn)的需要，還能滿(mǎn)足其他多種工藝的要求。這一成果被高頻爐生產(chǎn)廠家一直延用至今。用該設(shè)備完成了國(guó)家重點(diǎn)科研任務(wù)，得到了電阻率104Ohm-cm的高純硅單晶，是當(dāng)時(shí)國(guó)際上領(lǐng)先技術(shù)。

 

1964年，他負(fù)責(zé)半導(dǎo)體外延工作，為砷化鎵液相外延作出了開(kāi)拓性的工作。用這種材料首次在國(guó)內(nèi)研制成功室溫脈沖、相干激光器。

 

1966年至1969年，他負(fù)責(zé)156工程集成電路用硅外延材料國(guó)家任務(wù)，解決了連續(xù)生長(zhǎng)高摻雜硅外延層、介質(zhì)sio2層、多晶硅層等的工藝技術(shù)，為我國(guó)第一代介質(zhì)隔離集成電路提供了外延材料和設(shè)備。

 

1978年以后，黨中央提出“一定要把大規(guī)模集成電路搞上去”。要完成這一任務(wù)，首當(dāng)其沖的是硅單晶質(zhì)量要上去。梁駿吾在4K和l6K位DRAM研制中，負(fù)責(zé)硅單晶材料。解決了有害雜質(zhì)、氧含量、缺陷的控制及后處理等技術(shù)，成功地拉制了無(wú)位錯(cuò)、無(wú)漩渦、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高質(zhì)硅單晶材料。這兩項(xiàng)研究分別獲中國(guó)科學(xué)院1979、1980年重大科技成果獎(jiǎng)。

 

在研究半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)與缺陷相互作用的基礎(chǔ)上，梁駿吾首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了長(zhǎng)期困擾生產(chǎn)廠家的硅中位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)和繁殖以及電阻率的均勻性等重大技術(shù)難題，獲得了機(jī)械性能好、電阻率均勻的區(qū)熔硅單晶。這一成果在許多材料和器件工廠得到了廣泛的應(yīng)用，并獲1988年中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

 

在“七五”和“八五”攻關(guān)中，梁駿吾解決了外延中氣體動(dòng)力學(xué)與熱力學(xué)耦和計(jì)算的問(wèn)題，為外延爐設(shè)計(jì)提供了理論依據(jù)。完成了新一代微機(jī)控制光加熱外延爐。這一成果被鑒定后認(rèn)為“打破了外商壟斷，國(guó)內(nèi)首創(chuàng)”、“在外延層本底電阻率、過(guò)渡區(qū)寬、摻雜電阻率、徑向不均勻度等多項(xiàng)參數(shù)上均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平”。

 

1992年，他“突破了我國(guó)多年來(lái)未能生長(zhǎng)低閾值電流密度的量子阱激光器MOCVD材料的局面”，全面完成了863任務(wù)—MOCVD AIGaAs/GaAs量子阱超晶格材料任務(wù)，為第二代光電材料(超晶格、量子阱)的研制作出了貢獻(xiàn)。

 

由于梁駿吾在半導(dǎo)體材料研究中碩果累累，先后獲國(guó)家級(jí)和省部委級(jí)科技獎(jiǎng)10余次。1985年被評(píng)為研究員、博士生導(dǎo)師，1993年被評(píng)為“中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀導(dǎo)師”，1990年還被評(píng)為“國(guó)家級(jí)有突出貢獻(xiàn)中青年專(zhuān)家”，1997年被遴選為中國(guó)工程院院士�，F(xiàn)擔(dān)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，并在多所大學(xué)兼任教授。是中國(guó)電子學(xué)會(huì)理事、電子材料分會(huì)主任、中國(guó)材料學(xué)會(huì)理事。(硅業(yè)在線)